产品描述

NCE60H15采用 的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在各种各样的应用中。

　　产品型号：NCE60H15

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：150A

　　漏源电压（Vdss）：60V

　　栅源极阈值电压：4V@250uA

　　漏源导通电阻：4.5mΩ@75A,10V

　　类型：N沟道

　　 功率耗散（Ta）：220W

付款方式︰ TT