NCE60H15采用 的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在各种各样的应用中。
产品型号：NCE60H15
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：150A
漏源电压（Vdss）：60V
栅源极阈值电压：4V@250uA
漏源导通电阻：4.5mΩ@75A,10V
类型：N沟道
功率耗散（Ta）：220W
